Entwodiksyon nan kouch Silisyòm Carbide
Kouch Depozisyon Vapè Chimik (CVD) Silisyòm Karbid (SiC) nou an se yon kouch trè dirab ak rezistan a mete, ideyal pou anviwònman ki mande gwo rezistans korozyon ak tèmik.Kouch Silisyòm Carbideaplike an kouch mens sou divès substrats atravè pwosesis CVD a, sa ki ofri karakteristik pèfòmans siperyè.
Karakteristik kle yo
● -Pitete EksepsyonèlAvèk yon konpozisyon ultra-pi nan99.99995%, nouKouch SiCminimize risk kontaminasyon nan operasyon semi-kondiktè sansib yo.
● -Rezistans siperyèMontre ekselan rezistans kont tou de mete ak korozyon, sa ki fè li pafè pou anviwònman chimik ak plasma ki difisil.
● -Konduktivite tèmik ki woAsire pèfòmans serye anba tanperati ekstrèm akòz pwopriyete tèmik eksepsyonèl li yo.
● -Estabilite dimansyonèlKenbe entegrite estriktirèl nan yon pakèt tanperati, gras a koyefisyan ekspansyon tèmik li ki ba.
● -Dite amelyoreAvèk yon evalyasyon dite de40 GPa, kouch SiC nou an reziste gwo enpak ak fwotman.
● - Fini sifas lisBay yon fini tankou glas, diminye jenerasyon patikil epi amelyore efikasite operasyonèl.
Aplikasyon yo
Semicera Kouch SiCyo itilize nan divès etap fabrikasyon semi-kondiktè, tankou:
● -Fabrikasyon Chip LED
● -Pwodiksyon polisilikon
● -Kwasans Kristal Semikondiktè
● -Silisyòm ak SiC Epitaksi
● -Oksidasyon ak Difizyon Tèmik (TO&D)
Nou founi konpozan kouvri ak SiC ki fabrike ak grafit izostatik ki gen gwo rezistans, kabòn ranfòse ak fib kabòn ak carbure Silisyòm rekristalize 4N, ki fèt espesyalman pou reaktè kabann fluidize.Konvètisè STC-TCS, reflektè inite CZ, bato wafer SiC, palèt wafer SiC, tib wafer SiC, ak transpòtè wafer yo itilize nan PECVD, epitaksi Silisyòm, pwosesis MOCVD..
Benefis
● -Dire lavi pwolonjeDiminye anpil tan ekipman yo pa fonksyone ak depans antretyen, sa ki amelyore efikasite pwodiksyon an jeneral.
● -Amelyorasyon KaliteReyalize sifas ki gen gwo pite ki nesesè pou pwosesis semi-kondiktè, kidonk amelyore kalite pwodwi a.
● -Ogmantasyon EfikasiteOptimize pwosesis tèmik ak CVD, sa ki lakòz tan sik ki pi kout ak pi gwo sede.
Espesifikasyon teknik
● -EstriktiPolikristalin faz FCC β, sitou oryante (111)
● -Dansite3.21 g/cm³
● -DiteDite 2500 Vickes (chaj 500g)
● -Rezistans frakti3.0 MPa·m1/2
● -Koyefisyan ekspansyon tèmik (100–600 °C)4.3 x 10-6k-1
● -Modil elastik1300℃):435 GPa
● -Epesè fim tipik:100 µm
● -Sifas ki pa lis:2-10 µm
Done Pite (Mezire pa Spectroskopi Mas Egzeyat Luminè)
| Eleman | ppm | Eleman | ppm |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | < 0.05 |
| Al | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | < 0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | < 0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | < 0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | < 0.05 |
| Cr | < 0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | < 0.05 | Bi | < 0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
