Plato MOCVD kouvri ak SiC ki gen gwo pite anti-oksidasyon

Plato MOCVD kouvri ak SiC pite segondè anti-oksidasyon Imaj prezante

Deskripsyon kout:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. se yon founisè dirijan ki espesyalize nan wafer ak konsomab semi-kondiktè avanse.Nou dedye a bay pwodwi kalite siperyè, serye, ak inovatè pou fabrikasyon semi-kondiktè,endistri fotovoltaikak lòt domèn ki gen rapò.

Liy pwodwi nou an gen ladan pwodwi grafit kouvri ak SiC/TaC ak pwodwi seramik, ki gen ladan divès materyèl tankou carbure Silisyòm, nitrid Silisyòm, ak oksid aliminyòm, elatriye.

Antanke yon founisè ou ka fè konfyans, nou konprann enpòtans konsomab yo nan pwosesis fabrikasyon an, epi nou angaje pou nou delivre pwodwi ki satisfè pi wo estanda kalite yo pou satisfè bezwen kliyan nou yo.

Voye yon imèl ban nou

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Deskripsyon

Konpayi nou an bayKouch SiCsèvis pwosesis pa metòd CVD sou sifas grafit, seramik ak lòt materyèl, pou gaz espesyal ki gen kabòn ak silikon reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn molekil SiC ki gen gwo pite, molekil depoze sou sifas materyèl ki kouvri yo, fòme yonKouch pwoteksyon SiC.

Karakteristik prensipal yo

1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:
Rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a rive jiska 1600 C.
2. Pite segondè: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.
3. Rezistans ewozyon: gwo dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.

Espesifikasyon prensipal kouch CVD-SIC la

Pwopriyete SiC-CVD
Estrikti Kristal	Faz FCC β
Dansite	g/cm³	3.21
Dite	Dite Vickers	2500
Gwosè grenn	μm	2~10
Pite chimik	%	99.99995
Kapasite Chalè	J·kg-1 ·K-1	640
Tanperati Siblimasyon	℃	2700
Fòs Fleksiral	MPa (RT 4 pwen)	415
Modil Young lan	Gpa (koube 4pt, 1300℃)	430
Ekspansyon tèmik (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivite tèmik	(W/mK)	300